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直流電源的MOS設計損耗功率初算

發布時間 2021-05-25     發布人: admin     瀏覽次數:724

MOSFET 損耗計算主要包含如下 8 個部分:

PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover

詳細計算公式應根據具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應用場合,還要考慮體內二極管正向導通期間的損耗和轉向截止時的反向恢復損耗。損耗計算可參考下文的“MOS管損耗的8個組成部分”部分。