IGBT中頻電源與晶閘管中頻電源調節功率的方式有什么不同

1、可控硅并聯感應加熱設備調節功率是通過調節整流可控硅的導通角 實現的，在設備工作在小功率時，可控硅導通角減小，電網的功率因 數就會降低。因此必須另配功率因數補償柜，增加新的投入，如果不 另配功率因數補償柜，將會導致用戶配電室的功率因數補償柜電容損 壞或供電變壓器發熱。用戶的投入增加，并且帶來了電源效率的損耗。 IGBT 串聯感應加熱設備調節功率采用逆變側調節方式，整流電路采 用二極管，整流的功率因數為100%，不需要在配電柜中另外配置設 備。 

2. IGBT 串聯感應加熱設備工作時，開關器件承受的反壓很小，其大小 僅僅是開關器件反并聯二極管的導通壓降，非常小。 可控硅并聯電源工作時，開關器件承受承受反壓較大。由于自關斷器 件IGBT承受反壓的能力很低，因此應用中需要給每個橋臂的主開關 管串接同等容量的快恢復二極管，增加了損耗。 航空地面電源2，36V航空電源1，400HZ變頻電源7，115/200V電源2，27V直流電源5，400HZ電源12，航空電源　

3. IGBT串聯感應加熱設備的逆變器輸入相當于恒壓源，負載為R，L和 C串聯，其輸出電壓為矩形波，電流為近似正弦波。其中的IGBT由于 承受矩形電壓，故dt/ du較大，吸收電路起著關鍵作用，而對其dt/di 要求則較低。 可控硅并聯電源的逆變器輸入相當于恒流源，負載為R，L和C并聯， 其輸出電流為矩形波，輸出電壓為近似正弦波。其中的IGBT承受矩形電流， dt/ di較大，有時為了減小dt/di，必須在電路中串聯電感以限制dt /di ，電感增加損耗。